美國(guó)科諾參與指導(dǎo)，戰(zhàn)略合作伙伴上海梭倫研究版本光學(xué)接觸角儀中標(biāo) "香港科技大學(xué)納米與材料研究院"。這是我們的產(chǎn)品推向應(yīng)用用戶的一個(gè)新里程，也是對(duì)我們產(chǎn)品的性能、技術(shù)、服務(wù)的一個(gè)肯定。

美國(guó)科諾將繼續(xù)加大亞太地區(qū)的研發(fā)投入，加強(qiáng)與上海梭倫的戰(zhàn)略合作，與廣大用戶和同行一起不斷提升光學(xué)法界面化學(xué)分析的關(guān)鍵技術(shù)，擴(kuò)大界面化學(xué)分析儀器應(yīng)用范圍。
比如，美國(guó)科諾已經(jīng)在界面化學(xué)基于Young-lalapalace技術(shù)原理的擬合技術(shù)上取得重大突破，不久就將引入第四代基于真實(shí)液滴的技術(shù)原理的測(cè)試方法法（基于TrueDrop的技術(shù)核心） 動(dòng)態(tài)接觸角分析的技術(shù)的幾何模型迭代分析技術(shù)。這是一種突破，實(shí)現(xiàn)了由BA表擬合技術(shù)和1996年德國(guó)柏林理工大學(xué)的Spinger教授提出的基于“B"概念的Young-Laplace方程擬合法的第二代擬合技術(shù)，至Newmann教授的龍格庫(kù)拉解法下的第三代擬合技術(shù)，向第四代基于真實(shí)液滴技術(shù)的新動(dòng)態(tài)接觸角測(cè)試方法法（基于RealDrop的技術(shù)）法的Young-Lapalace的技術(shù)的擬合精度突破。第四代技術(shù)的關(guān)鍵點(diǎn)在于，我們將利用美國(guó)科諾*的圖像分析技術(shù)，真正解決*代與第二代技術(shù)的經(jīng)驗(yàn)性假設(shè)誤差、第三代技術(shù)自動(dòng)化程度的關(guān)鍵問(wèn)題，從而提高了分析速度、重復(fù)性、人為因素影響等對(duì)界面張力測(cè)值的影響。此時(shí)，明顯的表現(xiàn)是，我們不再像第二代技術(shù)那種必須假設(shè)取得理想的B=0.4-0.7時(shí)需要根據(jù)經(jīng)驗(yàn)和估算界面張力值，選用相應(yīng)針頭的問(wèn)題。我們認(rèn)為，界面張力測(cè)值與針頭的直徑的選取就是一個(gè)經(jīng)驗(yàn)判斷。這個(gè)判斷會(huì)造成相當(dāng)?shù)恼`差與人為影響。